近日，纳微一年一度的半导行家说三代半年会“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”重磅召开。纳微半导体凭借2024年优异的体荣应用和产品表现，荣获三项重磅大奖！获行

本次行家说年会上，家极奖纳微半导体还带来一场以《GaN&SiC驱动AI数据中心跟车载电源创新》为主题的光奖精彩演讲，分享了目前纳微半导体领先的纳微氮化镓和碳化硅技术，如何为当下最热的半导AI数据中心和电动汽车带来更高功率、更高效率的体荣功率转换解决方案。

第三代平导体应用推动突破奖

2024年，获行生成式AI进入了井喷式发展，家极奖为背后的光奖数据中心带来了惊人的能源危机，服务器电源作为最大耗电点之一，纳微亟需向更高效率和更高功率密度迈进。半导

纳微半导体敏锐地察觉到了这一趋势，体荣将旗下大功率GaNSafe氮化镓功率芯片与具有独特工艺——沟槽辅助平面栅的GeneSiC碳化硅功率器件进行结合，助力下一代AI数据中心电源功率突破飞升。

率先推出AI数据中心电源技术路线图

3月，纳微发布了AI数据中心电源技术路线图，计划在12-18个月实现电源功率的3倍提升，从3kW迅速拉至10kW。

全球功率密度最高的服务器电源

7月，纳微发布CRPS185 4.5kW服务器电源方案，其采用了氮化镓和碳化硅混合设计，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。

全球首发8.5kW OCP电源

11月，纳微全球首发8.5kW OCP服务器电源，实现了>97.5%的超高效率，完美适配AI和超大规模数据中心。

凭借着领先的产品性能，纳微GaNSafe和GeneSiC产品已成功在60多个客户项目中获得应用，获此殊荣可谓实至名归。

年度优秀产品：

GeneSiC 1700V碳化硅MOSFETS

纳微半导体的GeneSiC碳化硅MOSFETs产品系列，采用了专利的沟槽辅助平面栅技术，平面和沟槽优势互补，可支持高产量制造、快速冷却运行以及延长寿命的可靠性。

此次获奖的1700V碳化硅MOSFETs，具有最优的FoM品质因素和温度特性以及最低的Rdson，达到了全球领先的性能，有效打造高效、可靠的功率转换方案，在储能以及中压功率模块应用中得到了广泛应用。

年度创新产品：

GaNFast Bi-Directional双向氮化镓开关

在双碳要求下，光伏和风能等新能源进入了黄金发展期。氮化镓凭借着高频率，低损耗的优势，成为这类绿色能源存储的关键角色。

纳微GaNFast Bi-Directional双向氮化镓开关是一款优化的双向开关，能够阻断两个方向的电压。每个源极和公共基板之间的单片集成基板钳位电路可自动钳位源极到基板的电压以防止背栅效应。

1颗Bi-GaN氮化镓功率芯片可以相当于4颗同等Rdson的单向氮化镓器件，可广泛的应用于单极矩阵变换器拓扑中，使得逆变器峰值效率升至97%，获得海内外头部微逆客户的采用和关注。

此番三斩行业大奖，充分展现了纳微在电气化之路上所取得的卓越成果。未来，纳微将继续不断加速下一代功率半导体技术研发，助力更多行业进入高效、绿色的能源“芯”篇章！

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